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分立半导体
ZXT12N50DXTA参考图片

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ZXT12N50DXTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual 50V NPN
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库存：3,867(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
1,000
¥5.1867
5186.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
MSOP-8
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
135 mV
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
132 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT12
直流电流增益 hFE 最大值
250 at 10 mA, 2 V
高度
0.95 mm
长度
3.1 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.1 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 150 at 3 A, 2 V, 50 at 5 A, 2 V
Pd-功率耗散
870 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
140 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT12N50DXTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2EZ17DE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28488
DMC1229UFDB-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET Comp ENH Mode FET 12V Vdss 8V VGss
10,000:¥1.1639
参考库存:16351
VB40M120C-E3/4W
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40A,120V,TRENCH SKY RECT.
2,000:¥7.9891
3,000:¥7.4354
5,000:¥7.1529
10,000:¥6.8817
参考库存:28493
SD2931-15W
STMicroelectronics
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥494.3863
5:¥483.3236
10:¥464.4187
25:¥449.4349
参考库存:28496
1N5933PE3/TR12
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
4,000:¥5.0059
8,000:¥4.8251
参考库存:28499
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