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分立半导体
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BSL307SP H6327

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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥1.695
5085
询价数量：
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
31 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
- 29 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3 mm
系列
BSL307
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
1.5 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
4.7 S
下降时间
29 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8.4 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36.4 ns
典型接通延迟时间
7.3 ns
零件号别名
BSL307SPH6327XTSA1 SP001100660
单位重量
13.600 mg
商品其它信息
优势价格，BSL307SP H6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSZ0901NSI
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 40A TDSON-8 OptiMOS
1:¥9.1417
10:¥7.7631
100:¥5.989
500:¥5.2997
5,000:¥3.7064
10,000:查看
参考库存:26188
SUM110P06-07L-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 60V 110A 375W
1:¥28.3517
10:¥23.5153
100:¥19.3682
250:¥18.7467
800:¥18.7467
参考库存:13156
RB060L-40TE25
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY 40V 2A
1:¥3.9211
10:¥2.938
100:¥1.5933
1,000:¥1.1865
1,500:¥1.1865
参考库存:4214
BSO110N03MSGXUMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 30V 12.1A DSO-8 OptiMOS 3M
1:¥6.3732
10:¥5.3449
100:¥3.4465
1,000:¥2.7685
2,500:¥2.7685
参考库存:14144
RN1413(TE85L,F)
Toshiba
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor Built-in Transistor
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:10161
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