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分立半导体
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ZXT11N20DFTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V NPN SuperSOT4
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8646
38.646
100
¥2.486
248.6
1,000
¥2.0001
2000.1
3,000
¥2.0001
6000.3
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7.5 V
集电极—射极饱和电压
90 mV
最大直流电集电极电流
2.5 A
增益带宽产品fT
160 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZXT11N20
高度
1 mm
长度
3.05 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
2.5 A
Pd-功率耗散
625 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXT11N20DFTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FQP3P50
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET 500V P-Channel QFET
1:¥10.9158
10:¥9.2999
100:¥7.1642
500:¥6.3393
参考库存:5601
SI3499DV-T1-GE3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 8.0V 7.0A 2.0W 23mohm @ 4.5V
1:¥7.7631
10:¥6.4184
100:¥4.9268
500:¥4.2375
1,000:¥3.3448
3,000:¥3.3448
参考库存:4951
IRF1405ZPBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 55V 150A 4.9mOhm 120nC
1:¥16.9048
10:¥14.3736
100:¥11.526
500:¥10.0683
1,000:¥8.2942
参考库存:3283
STPS61H100CW
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2x30 Amp 100 Volt
1:¥33.1994
10:¥28.2048
100:¥24.4306
250:¥23.2102
500:¥20.8259
参考库存:2768
IRLI2910PBF
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET MOSFT 100V 27A 26mOhm 93.3nC LogLvl
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
1,000:¥7.2094
参考库存:5676
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