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分立半导体
BSC084P03NS3GATMA1参考图片

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BSC084P03NS3GATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9382
69.382
100
¥5.3336
533.36
500
¥4.7121
2356.05
1,000
¥3.7177
3717.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
78.6 A
Rds On-漏源导通电阻
6.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
58 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
BSC084P03
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
33 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
134 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC084P03NS3 BSC84P3NS3GXT G SP000473020
单位重量
454 mg
商品其它信息
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