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分立半导体
STW10NK80Z参考图片

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STW10NK80Z

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
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库存：2,328(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.0467
30.0467
10
¥25.5154
255.154
100
¥22.1254
2212.54
250
¥20.9728
5243.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
72 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
160 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SuperMESH
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
系列
STW10NK80Z
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
5.15 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
9.6 S
下降时间
17 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
30 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，STW10NK80Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ZTX614STZ
Diodes Incorporated
分立半导体
达林顿晶体管 NPN Darlington
2,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:35133
DMN3009SFG-13
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh FET 20Vgs Low Rdson
3,000:¥2.3956
参考库存:10490
NRVB1045MFST1G
ON Semiconductor
分立半导体
整流器 10 A 45 V SCHOTTKY DIODE
1:¥8.6106
10:¥7.3337
100:¥5.6387
500:¥4.9833
1,500:¥3.4917
9,000:查看
参考库存:5438
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 400 Volt 1.0 Amp 30 Amp IFSM
1:¥3.9211
10:¥2.6894
100:¥1.8193
500:¥1.4577
1,500:¥1.00683
4,500:查看
参考库存:35140
UGB10CCTHE3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 10 Amp 150 Volt 20ns Dual 55 Amp IFSM
1:¥10.6785
10:¥8.8366
100:¥6.7913
500:¥5.8421
参考库存:35143
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