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分立半导体
ZTX1051A参考图片

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ZTX1051A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9043
69.043
100
¥5.311
531.1
500
¥4.6895
2344.75
1,000
¥3.7064
3706.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
155 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1051
直流电流增益 hFE 最大值
290 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
290 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 190 at 4 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX1051A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP+PNP SOT-363 4.7kO Input Resist
1:¥2.6894
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:6068
分立半导体
MOSFET HIGH POWER PRICE/PERFORM
1:¥33.2672
10:¥28.2726
100:¥24.5097
250:¥23.278
参考库存:3314
分立半导体
整流器 Fast Recovery Epitaxial Diode - DQ
1:¥41.7196
10:¥33.5045
25:¥32.883
100:¥30.51
参考库存:3202
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MOSFET N-Ch 80V 100A TO220-3
1:¥18.0574
10:¥15.368
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
参考库存:3655
分立半导体
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms
1:¥30.8942
10:¥26.2047
100:¥22.7469
250:¥21.5943
参考库存:3166
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