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分立半导体
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IKW50N60H3FKSA1

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库存：1,683(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.2782
6819.55
500
¥24.5097
12254.85
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格，IKW50N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FESB16JT-E3/45
Vishay Semiconductors
分立半导体
整流器 16 Amp 600 Volt 50ns
1:¥13.7521
10:¥11.4469
100:¥8.9157
500:¥7.7631
1,000:¥7.3789
参考库存:5720
TK1K2A60F,S4X
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A
1:¥8.0682
10:¥6.441
100:¥4.9381
500:¥4.3731
参考库存:5116
STY60NM50
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp
1:¥160.9007
10:¥147.9961
25:¥141.8489
100:¥124.9441
参考库存:4802
STL2N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 800V 3.7Ohm typ 2A Zener-protected
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.7574
500:¥5.9777
3,000:¥4.181
9,000:查看
参考库存:4335
IPB100N08S2L07ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 75V 100A D2PAK-2 OptiMOS
1:¥21.2101
10:¥17.9783
100:¥14.3736
500:¥12.5995
1,000:¥10.4525
参考库存:5328
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