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分立半导体
BSC084P03NS3E G参考图片

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BSC084P03NS3E G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -78.6A TDSON-8 OptiMOS P3
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数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0964
70.964
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.8081
3808.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
78.6 A
Rds On-漏源导通电阻
8.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
43.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS P3
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8.1 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
133.5 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33.3 nS
零件号别名
BSC084P03NS3EGATMA1 BSC84P3NS3EGXT SP000473012
商品其它信息
优势价格，BSC084P03NS3E G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
EFC2J011NUZTDG
ON Semiconductor
分立半导体
MOSFET NCH 12V 55A WLCSP1
5,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
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PTVA030121EA-V1-R250
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12,500:¥3.9437
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APTM10SKM02G
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分立半导体
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100:¥955.2794
参考库存:31682
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