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分立半导体
VNP35N07-E参考图片

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VNP35N07-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 70V 35A OmniFET
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库存:4,181(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
35 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Qg-栅极电荷
100 nC
Pd-功率耗散
40 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
系列
VNP35N07-E
晶体管类型
1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型
MOSFET
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
25 S
下降时间
200 ns, 4.3 us
产品类型
MOSFET
上升时间
350 ns, 2.7 us
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
650 ns, 10 us
典型接通延迟时间
100 ns, 500 us
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格,VNP35N07-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
桥式整流器 6A, 1000V, SIL 7.5/7.5/7.5MM BRIDGE RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.8422
100:¥6.0568
500:¥4.4861
1,000:¥3.3222
参考库存:24200
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP Silicon Digital TRANSISTOR
1:¥1.5368
10:¥1.04525
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:24203
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANS GP BJT PNP 30V 0.1A
1:¥2.9154
10:¥2.0905
100:¥0.9605
1,000:¥0.73789
3,000:¥0.63054
参考库存:24206
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥32.9621
10:¥26.5098
100:¥24.1255
250:¥21.8203
参考库存:24209
分立半导体
MOSFET 30V 30A 6.0W 3.3mohm @ 10V
1:¥16.6788
10:¥13.8312
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,000:¥7.7631
2,500:¥7.7631
参考库存:24212
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