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分立半导体
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HGTG30N60B3

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数量单价合计
1
¥37.8776
37.8776
10
¥32.1937
321.937
100
¥27.8884
2788.84
250
¥26.5098
6627.45
500
¥23.7413
11870.65
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
208 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG30N60B3
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
60 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
60 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG30N60B3_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PBSS4160PANSX
Nexperia
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/NPN
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
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U553
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参考库存:47756
STGP7H60DF
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分立半导体
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1:¥12.0684
10:¥10.2152
100:¥8.2264
500:¥7.1981
参考库存:3978
SSB44HE3_A/I
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 4A,40V,SM Schottky Rect
1:¥3.842
10:¥2.9719
100:¥2.2035
500:¥1.808
3,200:¥1.2769
6,400:查看
参考库存:6154
PBSS4160PANPSX
Nexperia
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 1A NPN/PNP
1:¥3.6838
10:¥3.0397
100:¥1.8532
1,000:¥1.4238
3,000:¥1.2204
参考库存:5248
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