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分立半导体
FQP10N20C参考图片

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FQP10N20C

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库存:5,238(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.458
74.58
100
¥5.7291
572.91
500
¥5.0511
2525.55
1,000
¥4.0002
4000.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9.5 A
Rds On-漏源导通电阻
360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
72 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP10N20C
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
72 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
92 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP10N20C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET
1:¥25.8205
10:¥21.357
100:¥17.5941
参考库存:4210
分立半导体
MOSFET P-Chan 60V 8.8 Amp
1:¥7.5258
参考库存:2003
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,421.1558
5:¥1,387.0411
10:¥1,352.5422
25:¥1,333.6373
参考库存:1361
分立半导体
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥9.1417
10:¥7.8422
100:¥5.989
500:¥5.2884
1,000:¥4.1697
参考库存:3025
分立半导体
双向可控硅 Sen Triac 400V 4A 3-3-3-3 mA TO220 Iso
1:¥13.7521
10:¥11.0627
100:¥8.8366
500:¥7.684
1,000:¥6.4184
参考库存:2357
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