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分立半导体
RGTH00TS65GC11参考图片

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RGTH00TS65GC11

  • ROHM Semiconductor
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 650V 50A IGBT Stop Trench
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数量单价合计
1
¥28.7359
28.7359
10
¥24.4306
244.306
100
¥21.131
2113.1
250
¥20.0575
5014.375
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
85 A
Pd-功率耗散
277 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RGTH00TS65
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
85 A
工作温度范围
- 40 C to + 175 C
商标
ROHM Semiconductor
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
RGTH00TS65
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，RGTH00TS65GC11的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STB10N95K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
1:¥34.1147
10:¥28.9732
100:¥25.1312
250:¥23.8204
500:¥21.357
1,000:¥18.0574
参考库存:1770
IPU60R1K0CEAKMA2
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥4.9946
10:¥4.1584
100:¥2.6781
1,000:¥2.147
参考库存:4672
STPS6M100SF
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 DFD RECTIFIER
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.3843
1,000:¥1.9097
参考库存:7546
VS-STPS40L40CW-N3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - TO-247-e3
1:¥30.4309
10:¥25.2781
100:¥20.7468
250:¥20.1366
参考库存:2176
IDH08G65C5XKSA2
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥28.589
10:¥24.2837
100:¥21.0519
250:¥19.9784
参考库存:2136
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