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分立半导体
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FDA38N30

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库存:2,226(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.5208
20.5208
10
¥17.4472
174.472
100
¥15.142
1514.2
250
¥14.3736
3593.4
500
¥12.9046
6452.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
300 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 125 C
Pd-功率耗散
312 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA38N30
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
6.3 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA38N30的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.29 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 HV package
1:¥19.3682
10:¥16.4415
100:¥13.221
500:¥11.526
3,000:¥8.9157
6,000:查看
参考库存:5961
分立半导体
MOSFET PSMN013-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥4.9155
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
1,500:¥1.7628
参考库存:33775
分立半导体
达林顿晶体管 HV DarArray 5, 25V 7Drivers 500mA 250ns
1:¥4.3844
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
5,000:¥1.4577
参考库存:7506
分立半导体
MOSFET T6D3F 40V NFET
1:¥15.8313
10:¥13.447
100:¥10.7576
500:¥9.379
1,500:¥7.2659
4,500:查看
参考库存:3937
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.55 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP wide creepage package
1:¥11.752
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.9947
参考库存:5753
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