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分立半导体
BSC026N04LSATMA1参考图片

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BSC026N04LSATMA1

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数量单价合计
1
¥10.2152
10.2152
10
¥8.6784
86.784
100
¥6.7122
671.22
500
¥5.9325
2966.25
5,000
¥4.1471
20735.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
85 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
5 ns
零件号别名
BSC026N04LS SP001067014
单位重量
118.140 mg
商品其它信息
优势价格,BSC026N04LSATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A,50V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER
1:¥5.2997
10:¥4.7686
100:¥3.1301
1,000:¥1.04525
3,500:¥0.86106
参考库存:21538
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8A,30V, SINGLE SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥7.8422
10:¥6.9947
25:¥6.3054
100:¥5.5144
800:¥3.3787
2,400:查看
参考库存:21541
分立半导体
桥式整流器 35A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, WIRE
1:¥27.8884
10:¥24.1255
50:¥19.5151
100:¥16.7466
500:¥14.1363
参考库存:21544
分立半导体
肖特基二极管与整流器 25A,35V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥11.752
10:¥10.4525
25:¥9.4468
100:¥8.2942
800:¥5.0624
2,400:查看
参考库存:21547
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DDVR PNP 80V 500MA
1:¥2.8476
10:¥2.1583
100:¥1.1752
1,000:¥0.88366
3,000:¥0.76049
参考库存:21550
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