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分立半导体
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STGIPN3H60AT

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 模块 SLLIMM-nano small low-loss intelligent molded module IPM, 3 A, 600 V 3-phase IGBT inverter bridge
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1
¥60.3194
60.3194
10
¥54.4773
544.773
25
¥51.9461
1298.6525
100
¥45.1096
4510.96
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
3-Phase Inverter
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
3 A
Pd-功率耗散
8 W
封装 / 箱体
NDIP-26L
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Bulk
高度
3.2 mm
长度
29.25 mm
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
系列
STGIPN3H60AT
宽度
12.55 mm
商标
STMicroelectronics
安装风格
Through Hole
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
476
子类别
IGBTs
商标名
SLLIMM
商品其它信息
优势价格，STGIPN3H60AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BSH103,235
Nexperia
分立半导体
MOSFET TAPE13 MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
10,000:¥0.66896
20,000:查看
参考库存:46492
BCR16PM-12LG#B00
Renesas Electronics
分立半导体
双向可控硅 TRIAC
1:¥15.2098
10:¥13.7521
25:¥12.2944
100:¥11.0627
参考库存:3588
BSZ0506NSATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET LV POWER MOS
1:¥6.9947
10:¥5.8195
100:¥3.7516
1,000:¥3.0058
5,000:¥2.5312
参考库存:7300
RSD080N06TL
ROHM Semiconductor
分立半导体
2,500:¥3.3787
10,000:¥3.2544
25,000:¥3.1527
参考库存:50320
BTA04-700SRG
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 4 Amp 700 Volt
1:¥11.1418
10:¥9.5259
100:¥7.2885
500:¥6.441
参考库存:4482
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