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分立半导体
ZXMHN6A07T8TA参考图片

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ZXMHN6A07T8TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 60V 1.6A N-Channel MOSFET H-Bridge
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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥31.1202
311.202
100
¥26.9731
2697.31
250
¥25.5832
6395.8
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SM-8
通道数量
4 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
1.6 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
3.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Quad
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.7 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMHN6
晶体管类型
4 N-Channel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
2.3 S
下降时间
2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
1.4 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
4.9 ns
典型接通延迟时间
1.8 ns
商品其它信息
优势价格,ZXMHN6A07T8TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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25:¥1,295.0591
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20,000:¥0.53788
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