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分立半导体
STS8C5H30L参考图片

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STS8C5H30L

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N/P-Ch 30V 8/5 Amp
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库存:2,772(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.7913
3395.65
2,500
¥5.2432
13108
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
5.4 A, 8 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
7 nC, 12.5 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.6 W, 2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.65 mm
长度
5 mm
系列
STS8C5H30L
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET
类型
MOSFET
宽度
4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
8.5 S, 10 S
下降时间
8 ns, 35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
14.5 ns, 35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns, 125 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 25 ns
单位重量
85 mg
商品其它信息
优势价格,STS8C5H30L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 Field-Effect Rectifier Diode 60V
1:¥6.4523
10:¥5.3562
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:5693
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥8.8366
10:¥7.5145
100:¥5.7743
500:¥5.1076
1,000:¥4.0228
参考库存:4125
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V Vr; 0.1A IO SOD-523; EMD2
1:¥1.3786
10:¥1.2656
100:¥0.44522
1,000:¥0.29945
2,500:¥0.23052
8,000:¥0.20001
参考库存:21802
分立半导体
MOSFET SF3 FRFET 650V 82MOHM
1:¥36.499
10:¥30.962
100:¥26.894
250:¥25.5154
参考库存:4587
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V 2A SMF(DO-219AB) TMBS
1:¥4.0002
10:¥2.3165
100:¥1.3447
500:¥1.09836
3,000:¥0.73789
6,000:查看
参考库存:6789
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