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分立半导体
STGP10NC60HD参考图片

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STGP10NC60HD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH TM IGBT
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库存:6,062(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.7575
8.7575
10
¥7.5145
75.145
100
¥5.7743
577.43
500
¥5.1076
2553.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
56 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
7 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGP10NC60HD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 60A 600V 2PH CC MODULE POWER
1:¥323.7224
10:¥308.3544
25:¥301.371
50:¥294.2972
参考库存:1821
分立半导体
整流器 100 Volt 2.0A 25ns Glass Passivated
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.9662
500:¥1.6159
3,200:¥1.1413
6,400:查看
参考库存:9479
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 70V 100mA
1:¥1.3786
10:¥1.2317
100:¥0.43844
1,000:¥0.29154
3,000:¥0.22261
参考库存:28282
分立半导体
达林顿晶体管 PNP DAR 30V 1A
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
2,000:¥0.5763
参考库存:8400
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 0.1A 80V High-speed Switching Diode
1:¥2.2261
10:¥1.4238
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.30736
参考库存:4680
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