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分立半导体
ZXMN2B14FHTA参考图片

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ZXMN2B14FHTA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V N-Channel MOSFET w/low gate drive cap
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库存：11,150(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.763
5.763
10
¥4.7912
47.912
100
¥3.0849
308.49
1,000
¥2.4747
2474.7
3,000
¥2.4747
7424.1
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4.3 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXMN2B
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
3.7 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXMN2B14FHTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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1:¥106.3443
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25:¥89.3604
50:¥84.524
参考库存:1163
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