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分立半导体
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ZXM61N03FTA

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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.034
203.4
1,000
¥1.5707
1570.7
3,000
¥1.3334
4000.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
1.4 A
Rds On-漏源导通电阻
220 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.02 mm
长度
3.04 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZXM61N03
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
1.4 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
0.87 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
5.8 ns
典型接通延迟时间
1.9 ns
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，ZXM61N03FTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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