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分立半导体
BZD27C6V8P-E3-08参考图片

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BZD27C6V8P-E3-08

  • Vishay Semiconductors
  • 新批次
  • 稳压二极管 6.8 Volt 0.8 Watt 5%
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库存:24,240(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.0397
30.397
100
¥2.0566
205.66
500
¥1.6498
824.9
1,000
¥1.2317
1231.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
稳压二极管
RoHS
Vz - 齐纳电压
6.8 V
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-219AB-2
Pd-功率耗散
800 mW
电压容差
5 %
电压温度系数
0.07 %/C
齐纳电流
10 uA
Zz - 齐纳阻抗
3 Ohms
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 175 C
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
BZD27C
高度
1.08 mm
长度
2.9 mm
宽度
1.9 mm
商标
Vishay Semiconductors
Ir - 反向电流
10 uA
产品类型
Zener Diodes
工厂包装数量
3000
子类别
Diodes & Rectifiers
商标名
eSMP
Vf - 正向电压
1.2 V
商品其它信息
优势价格,BZD27C6V8P-E3-08的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥38.7251
10:¥32.883
100:¥28.5099
250:¥27.0522
参考库存:4316
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Trans 45Vcbo 30Vceo 6.0Vebo 300mW
1:¥5.9212
10:¥5.1189
100:¥3.5482
1,000:¥2.6442
参考库存:6587
分立半导体
MOSFET N-Chnl 40-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
1:¥7.458
10:¥5.9664
100:¥4.5313
500:¥3.729
1,000:¥2.9945
3,000:¥2.9945
参考库存:7596
分立半导体
MOSFET Automotive-grade N-channel 30 V, 0.004 Ohm typ., 80 A STripFET H6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
3,000:¥5.7065
6,000:查看
参考库存:4906
分立半导体
IGBT 模块
1:¥5,297.2705
5:¥5,212.5996
参考库存:3963
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