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分立半导体
STU11N65M2参考图片

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STU11N65M2

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 650 V, 0.6 Ohm typ., 7 A MDmesh M2 Power MOSFET in IPAK package
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库存:32,061(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.0629
15.0629
10
¥12.7577
127.577
100
¥10.2152
1021.52
500
¥8.9948
4497.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
670 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
12.5 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
85 W
配置
Single
商标名
MDmesh II Plus
封装
Tube
产品
Power MOSFET
系列
STU11N65M2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
26 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STU11N65M2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 200volts 1.0amp
1:¥3.7629
10:¥2.825
100:¥2.1018
500:¥1.7289
10,000:¥1.05994
20,000:查看
参考库存:14124
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
1:¥57.1667
10:¥51.7088
25:¥49.2567
100:¥42.8044
参考库存:4127
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥133.0914
10:¥120.9439
25:¥111.8813
50:¥105.8132
参考库存:4160
分立半导体
MOSFET 30V N-Ch Enh Mode 50mOhm 10V 3.6A
1:¥3.1527
10:¥2.0566
100:¥0.88366
1,000:¥0.67574
10,000:¥0.46104
20,000:查看
参考库存:4191
分立半导体
整流器 16A,600V,GLASS Pass Superfast,DUAL Rect
1:¥9.9101
10:¥9.0626
100:¥6.9947
500:¥5.1867
参考库存:6128
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