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分立半导体
ZXMN20B28KTC参考图片

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ZXMN20B28KTC

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET ENHANCE MODE MOSFET 200V N-CHANNEL
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数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
2,500
¥2.3391
5847.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
2.3 A
Rds On-漏源导通电阻
750 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
8.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
ZXMN20
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
6.13 S
下降时间
57.1 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
76.9 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
44.7 ns
典型接通延迟时间
17.8 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,ZXMN20B28KTC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.32318
10,000:¥0.2147
20,000:查看
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10,000:¥0.73789
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100:¥1.9097
1,000:¥1.3221
2,000:¥1.13
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