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分立半导体
STAC150V2-350E参考图片

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STAC150V2-350E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR Transistor 40.68 MHz 700V
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1
¥756.874
756.874
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
1 uA
Vds-漏源极击穿电压
700 V
增益
17 dB
输出功率
500 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
STAC177B
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
40.68 MHz
系列
STAC150V2-350E
类型
RF Power MOSFET
商标
STMicroelectronics
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格,STAC150V2-350E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 40V Vds 12V Vgs SOT-23
1:¥3.3787
10:¥2.26
100:¥1.5255
500:¥1.2204
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.92208
参考库存:78701
分立半导体
IGBT 模块 EconoDUAL 3 1700V dual IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, Emitter Controlled Diode and NTC
1:¥2,314.4999
5:¥2,258.7909
参考库存:1109
分立半导体
IGBT 晶体管 EAS 180 mJ-400 V clamped IGBT
1:¥12.3735
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.1642
2,500:¥5.0059
10,000:查看
参考库存:1286
分立半导体
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
1:¥5.1528
10:¥4.2827
100:¥2.7685
1,000:¥2.2148
4,000:¥1.8758
参考库存:20216
分立半导体
MOSFET N-CHAN 80V 17A
1:¥4.2262
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6724
1,500:¥1.6724
参考库存:6715
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