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分立半导体
STGP10NB60SD参考图片

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STGP10NB60SD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH
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库存:2,243(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥27.8206
27.8206
10
¥23.6622
236.622
100
¥20.5208
2052.08
250
¥19.436
4859
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
3.5 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGP10NB60SD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
20 A
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,STGP10NB60SD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
1,500:¥3.0397
9,000:查看
参考库存:3544
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-13
1:¥3.2318
10:¥2.486
100:¥1.356
1,000:¥1.01474
4,000:¥0.87575
参考库存:7979
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
1:¥1.695
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
3,000:¥0.26894
参考库存:21324
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 300W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.7629
10:¥2.5764
100:¥1.7402
500:¥1.4012
1,500:¥0.9605
4,500:查看
参考库存:14216
分立半导体
MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA
1:¥2.8476
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.5537
20,000:查看
参考库存:21640
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