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分立半导体
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QPD1017

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET
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数量单价合计
18
¥4,072.52
73305.36
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相关型号
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参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
15.7 dB
晶体管极性
N-Channel
Id-连续漏极电流
20 A
输出功率
460 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
511 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
17.4 mm x 24 mm x 4.31 mm
配置
Single
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD1017PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
18
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格，QPD1017的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI7386DP-T1-E3
Vishay / Siliconix
分立半导体
MOSFET 30 Volt 19 Amp 5W
1:¥12.3735
10:¥10.2943
100:¥7.91
500:¥6.9834
3,000:¥6.9834
参考库存:10641
STGIPN3H60
STMicroelectronics
分立半导体
IGBT 模块 SLIMM Nano 3A 600V 3-Phase IGBT Bridge
1:¥60.3194
10:¥54.4773
25:¥51.9461
100:¥45.1096
参考库存:3248
VS-90MT160KPBF
Vishay Semiconductors
分立半导体
桥式整流器 1600 Volt 90 Amp
1:¥530.2751
5:¥519.7435
10:¥498.0023
25:¥481.945
参考库存:2768
STF3N80K5
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
1:¥14.2154
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
参考库存:4755
STPS30150CW
STMicroelectronics
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2X15 Amp 150 Volt
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
参考库存:5015
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