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分立半导体

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BSM200GA120DLC

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数量单价合计
10
¥945.2902
9452.902
30
¥925.4587
27763.761
50
¥925.3796
46268.98
100
¥879.1287
87912.87
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
370 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
1450 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM200GA120DLCHOSA1 SP000092013
商品其它信息
优势价格,BSM200GA120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:11011
分立半导体
MOSFET N-channel 650 V, 0.42 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.6842
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.8026
2,500:¥4.7686
10,000:查看
参考库存:6767
分立半导体
整流器 Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier
1:¥22.8938
10:¥19.436
100:¥16.8257
250:¥15.9782
500:¥14.3736
参考库存:5246
分立半导体
MOSFET 80V 50A 136W AEC-Q101 Qualified
1:¥21.5943
10:¥19.5151
100:¥15.6731
500:¥12.1362
2,000:¥8.9948
4,000:查看
参考库存:29635
分立半导体
MOSFET NFET SO8FL 60V 22A 3
1:¥7.8422
10:¥6.7461
100:¥5.1867
500:¥4.5765
1,500:¥3.2092
9,000:查看
参考库存:7311
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