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分立半导体

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BSM75GP60

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库存:34,438(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥1,124.4743
11244.743
30
¥1,108.7221
33261.663
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.2 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
310 W
封装 / 箱体
Econo PIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM75GP60BOSA1 SP000100383
商品其它信息
优势价格,BSM75GP60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
SCR 12A High Temp Thyristor
1:¥16.2155
10:¥13.0628
100:¥10.4525
500:¥9.2208
1,000:¥7.571
参考库存:3770
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.1473
10:¥6.9721
100:¥5.3562
500:¥4.7347
1,000:¥3.7403
参考库存:6216
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Fast Recvry 600V Vr TO-252(DPAK) 3A Io
1:¥6.3732
10:¥5.3223
100:¥3.4239
1,000:¥3.1414
2,500:¥2.8589
参考库存:5536
分立半导体
MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL
1:¥11.4469
10:¥9.7632
100:¥7.5484
500:¥6.667
1,500:¥4.6669
9,000:查看
参考库存:4942
分立半导体
MOSFET T6 40V HEFET
1:¥27.7415
10:¥23.5944
100:¥20.4417
250:¥19.3682
1,500:¥14.6787
参考库存:8092
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