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分立半导体

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BSM300GA120DLC

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数量单价合计
10
¥1,132.7798
11327.798
30
¥1,116.9485
33508.455
50
¥1,116.8694
55843.47
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.6 V
在25 C的连续集电极电流
570 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2250 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
36.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM300GA120DLCHOSA1 SP000100731
商品其它信息
优势价格,BSM300GA120DLC的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 350mW 6.2V Zener Single Diode
14,000:¥1.00683
28,000:¥0.9605
56,000:¥0.9379
参考库存:24122
分立半导体
整流器 1.5A, 100V, GP FAST RECOVERY SMA RECTIFIER
15,000:¥0.66896
22,500:¥0.5989
45,000:¥0.53788
97,500:¥0.49946
参考库存:24125
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30Vrrm Dual Schottky 100mA 250mW 500nA
9,000:¥0.91417
24,000:¥0.83733
45,000:¥0.80682
99,000:¥0.77631
参考库存:24128
分立半导体
整流器 20A,300V,STD. ULTRAFAST RECTIFIER
2,000:¥3.2996
参考库存:24131
分立半导体
桥式整流器 1A,600V,GLASS PASSIVATED,DIP,LOW PROFILE,BRIDGE RECT.
5,000:¥1.1865
参考库存:24134
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