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分立半导体

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BSM35GP120G

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库存:32,437(价格仅供参考)
数量单价合计
10
¥1,170.0472
11700.472
30
¥1,153.5944
34607.832
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
在25 C的连续集电极电流
45 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GP120GBOSA1 SP000100400
商品其它信息
优势价格,BSM35GP120G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
9,000:¥0.7684
参考库存:5277
分立半导体
MOSFET G3 SiC MOSFET 900V, 280mOhm
1:¥26.668
100:¥25.5832
500:¥24.3628
参考库存:6073
分立半导体
MOSFET BSS84AK/TO-236AB/REEL 11" Q3/T
1:¥2.3052
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
10,000:¥0.30736
20,000:查看
参考库存:30917
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Super Barrier Rectifier
1:¥3.5369
10:¥2.6555
100:¥1.4464
1,000:¥1.08367
3,000:¥0.92999
9,000:¥0.87575
参考库存:3104
分立半导体
肖特基二极管与整流器 100V 1A Schottky Barrier Rectifier
1:¥3.616
10:¥2.2939
100:¥0.9831
1,000:¥0.76049
3,000:¥0.5763
参考库存:8538
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