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分立半导体
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RFP12N10L

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数量单价合计
1
¥7.0738
7.0738
10
¥5.989
59.89
100
¥4.5991
459.91
500
¥4.068
2034
1,000
¥3.2092
3209.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
200 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
60 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
RFP12N10L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
80 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
70 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
15 ns
零件号别名
RFP12N10L_NL
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，RFP12N10L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
APTM100H35FT3G
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Microsemi
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整流器
100:¥247.809
200:¥231.2884
参考库存:34409
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