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分立半导体
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PMCXB900UEZ

  • Nexperia
  • 新批次
  • MOSFET 20 V, complementary N/P-channel Trench
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4464
1446.4
5,000
¥1.2317
6158.5
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-1010B-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
600 mA, 500 mA
Rds On-漏源导通电阻
470 mOhms, 1.02 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV, 950 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
700 pC, 2.1 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
380 mW
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Nexperia
正向跨导 - 最小值
1 S, 480 mS
下降时间
51 ns, 6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.2 ns, 5 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns, 13.5 ns
典型接通延迟时间
5.6 ns, 2.3 ns
单位重量
1.200 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10:¥11.8311
100:¥9.4468
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