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分立半导体
FQB27P06TM参考图片

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FQB27P06TM

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库存:8,847(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.0627
11.0627
10
¥9.379
93.79
100
¥7.2433
724.33
500
¥6.4071
3203.55
800
¥5.0511
4040.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FQB27P06
晶体管类型
1 P-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12.4 S
下降时间
90 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
185 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,FQB27P06TM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
1:¥65.1558
10:¥58.9408
25:¥56.1723
100:¥48.7934
参考库存:5000
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1:¥2,535.72
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1:¥1.5368
10:¥1.3786
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:454188
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MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥13.9103
500:¥12.2153
1,000:¥10.0683
5,000:¥10.0683
参考库存:12068
分立半导体
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
1:¥11.8311
10:¥10.0683
100:¥8.0682
500:¥7.0625
1,000:¥5.8534
5,000:¥5.8534
参考库存:25923
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