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分立半导体
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ZVN4206A

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库存:10,684(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.5313
45.313
100
¥2.9154
291.54
1,000
¥2.3391
2339.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
600 mA
Rds On-漏源导通电阻
1 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
700 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
ZVN4206
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZVN4206A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 RECTIFIER DIODE SMD 1000VOLT
1:¥3.3787
10:¥2.2148
100:¥1.4916
500:¥1.2317
3,000:¥0.7684
9,000:查看
参考库存:11494
分立半导体
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1:¥3.3787
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
3,000:¥0.54579
参考库存:15286
分立半导体
桥式整流器 GBPC GPP 50A 1000V Rect. Bridge Diode
1:¥26.894
10:¥21.6734
100:¥19.7524
250:¥17.8314
参考库存:4699
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 4A 40V
1:¥5.6048
10:¥4.633
100:¥2.9945
1,000:¥2.3843
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分立半导体
整流器 100V 1A Fast
1:¥1.7628
10:¥1.1978
100:¥0.49946
1,000:¥0.34578
5,000:¥0.26894
参考库存:21586
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