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分立半导体
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KSD2012GTU

  • ON Semiconductor / Fairchild
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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6.9156
10
¥5.7517
57.517
100
¥3.7064
370.64
1,000
¥2.9606
2960.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220F-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.4 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
KSD2012
直流电流增益 hFE 最大值
320
高度
9.19 mm
长度
10.16 mm
封装
Tube
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
25 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
2.270 g
商品其它信息
优势价格,KSD2012GTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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