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分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	4.7 kOhms
典型电阻器比率	0.47
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1116MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	7 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

优势价格，RN1116MFV(TPL3)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
BAQ34-GS08	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	二极管 - 通用，功率，开关 60 Volt 200mA 2.0 Amp IFSM	1:¥2.6103 10:¥1.7854 100:¥0.87575 500:¥0.7458 2,500:¥0.44522 5,000:查看	参考库存:26696
IRF9Z34STRRPBF	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET MOSFET P-CHANNEL 60V	1:¥15.8313 10:¥13.221 800:¥13.221	参考库存:3802
CMUT5401 TR	Central Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 160Vcbo 150Vceo 5.0Vebo 600mA 250mW	1:¥3.2996 10:¥2.3843 100:¥1.3673 1,000:¥0.99892 3,000:¥0.86106	参考库存:10211
TS420-600H	STMicroelectronics	分立半导体	PDF数据手册	SCR 4.0 Amp 600 Volt	1:¥9.2999 10:¥7.9891 100:¥6.0907 500:¥5.3788	参考库存:4763
2SC6096-TD-H	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 2A 100V	1:¥4.6104 10:¥3.8533 100:¥2.3391 1,000:¥1.808 2,000:¥1.5481	参考库存:11924