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分立半导体
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BSZ019N03LS

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数量单价合计
1
¥11.30
11.3
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.4354
743.54
500
¥6.5766
3288.3
5,000
¥4.5991
22995.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PG-TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
1.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
69 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
70 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
零件号别名
BSZ019N03LSATMA1 BSZ19N3LSXT SP000792362
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ019N03LS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S4010DTP
Littelfuse
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SCR 10A 500uA 400V
1:¥11.752
10:¥9.379
100:¥7.2659
500:¥6.4184
1,000:¥4.9607
参考库存:2089
K2400EH70
Littelfuse
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高压触发二极管 Sidac 240V HI ENERGY
1:¥9.7632
10:¥7.8422
100:¥6.0342
500:¥5.3336
1,000:¥4.2036
参考库存:2579
TK6A65D(STA4,Q,M)
Toshiba
分立半导体
MOSFET N-Ch FET 650V 4.0s IDSS 10 uA .95 Ohm
1:¥14.9838
10:¥12.0684
100:¥9.6841
500:¥8.4524
参考库存:1660
IPP072N10N3GXK
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥13.5261
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:1796
GBPC25005W
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
桥式整流器 25A Bridge Rectifier
1:¥24.8939
10:¥21.131
100:¥18.2834
250:¥17.3681
参考库存:1669
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