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分立半导体
BSZ900N15NS3 G参考图片

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BSZ900N15NS3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 150V 13A TSDSON-8 OptiMOS 3
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库存:13,385(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.345
73.45
100
¥5.6387
563.87
500
¥4.9833
2491.65
5,000
¥3.4917
17458.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
74 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
38 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
6 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
BSZ900N15NS3GATMA1 BSZ9N15NS3GXT SP000677866
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格,BSZ900N15NS3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET NFET 60V 20A 46MOHM
1:¥8.5315
10:¥7.2659
100:¥5.5822
500:¥4.9381
2,500:¥3.4465
10,000:查看
参考库存:3527
分立半导体
稳压二极管 150V 3W
1:¥3.4578
10:¥2.4295
100:¥1.11418
1,000:¥0.86106
2,500:¥0.72998
参考库存:20059
分立半导体
桥式整流器 1600 Volt 40 Amp
1:¥281.2344
5:¥268.5558
10:¥260.1034
25:¥239.0515
参考库存:1812
分立半导体
稳压二极管 15 Volt 2 Watt 5%
1:¥4.6104
10:¥2.6894
100:¥2.147
500:¥1.2656
3,500:¥0.84524
7,000:查看
参考库存:8371
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30 Amp 100 Volt Single TrenchMOS
1:¥11.8311
10:¥9.7632
100:¥7.4806
500:¥6.4184
1,000:¥5.6387
参考库存:3670
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