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分立半导体
BSZ100N03MS G参考图片

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BSZ100N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:12,596(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.4748
44.748
100
¥2.8815
288.15
1,000
¥2.3052
2305.2
5,000
¥1.9549
9774.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
7.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
26 S
下降时间
2.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
3.8 ns
零件号别名
BSZ100N03MSGATMA1 BSZ1N3MSGXT SP000311510
商品其它信息
优势价格,BSZ100N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 51 Volt 3 Watt 5%
1:¥4.7686
10:¥2.7685
100:¥2.2035
500:¥1.3108
1,000:¥0.97632
3,000:¥0.87575
参考库存:27413
分立半导体
整流器 Diode High Efficient 1.5A, 400V, 50ns
1:¥4.0002
10:¥2.3843
100:¥1.6724
500:¥0.95259
1,500:¥0.61472
9,000:查看
参考库存:27416
分立半导体
整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
1:¥4.4522
10:¥4.068
100:¥2.6329
1,000:¥0.88366
1,800:¥0.72998
参考库存:27419
分立半导体
桥式整流器 1.5A, 800V, GLASS PASSIVATED IN LINE BRIDGE IFSM 80A
1:¥4.9155
10:¥4.5313
100:¥3.4917
500:¥2.5877
参考库存:27422
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥4.3053
10:¥3.0736
100:¥2.0114
500:¥1.1865
1,800:¥0.79891
9,000:查看
参考库存:27425
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