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分立半导体

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APT50GT120JU3

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存：3,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.7767
279.7767
5
¥270.3977
1351.9885
10
¥261.6402
2616.402
25
¥241.9669
6049.1725
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
347 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格，APT50GT120JU3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPW60R125CPFKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP
1:¥48.8725
10:¥41.4936
100:¥35.9566
250:¥34.1147
500:¥30.6569
参考库存:26617
IPW65R070C6FKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 53.5A TO247-3 CoolMOS C6
1:¥73.224
10:¥66.1615
25:¥63.0879
100:¥54.7824
参考库存:26620
1N5539B
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥35.0413
10:¥28.1257
100:¥25.6623
250:¥23.1311
参考库存:26623
VS-ST230S12P0V
Vishay Semiconductors
分立半导体
SCR模块 1200 Volt 230 Amp
1:¥1,049.1711
5:¥1,028.5825
10:¥980.6366
25:¥960.0367
参考库存:26626
RB150M-30TR
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SCHOTTKY
1:¥4.4522
10:¥3.6612
100:¥2.2374
1,000:¥1.7289
3,000:¥1.4803
参考库存:26629
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