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BSO613SPV G

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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥6.3958
63.958
100
¥4.9155
491.55
500
¥4.3505
2175.25
2,500
¥3.0397
7599.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3.44 A
Rds On-漏源导通电阻
110 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
30 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO613
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
2.2 S
下降时间
12 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
BSO613SPVGHUMA1 BSO613SPVGXT SP000216309
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，BSO613SPV G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SF66G R0G
Taiwan Semiconductor
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2,500:¥1.9323
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10:¥2.9945
100:¥1.7854
1,000:¥0.75258
7,500:¥0.52206
22,500:查看
参考库存:35394
1SMA4756HR3G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 47V, 5% ZENER DIODE, SMA
1:¥4.1471
10:¥2.9945
100:¥1.7741
1,000:¥0.75258
1,800:¥0.65314
参考库存:35397
BZD27C51P R2G
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 1W, 51V, ZENER
7,500:¥0.86784
22,500:¥0.81473
45,000:¥0.72998
参考库存:35400
CMR2-02 BK
Central Semiconductor
分立半导体
整流器 Gen Purpose Rect
2,500:¥2.147
10,000:¥2.0566
25,000:¥1.9775
参考库存:8216
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