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分立半导体
BSC010NE2LSIATMA1参考图片

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BSC010NE2LSIATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS
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数量单价合计
1
¥12.6786
12.6786
10
¥10.7576
107.576
100
¥8.6106
861.06
500
¥7.571
3785.5
5,000
¥5.6274
28137
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
900 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
78 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
4.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.2 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32 ns
典型接通延迟时间
6.3 ns
零件号别名
BSC010NE2LSI BSC1NE2LSIXT SP000854376
单位重量
118.700 mg
商品其它信息
优势价格，BSC010NE2LSIATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDS4480
ON Semiconductor / Fairchild
分立半导体
MOSFET SO-8
1:¥8.3733
10:¥7.1303
100:¥5.4805
500:¥4.8364
1,000:¥3.8194
2,500:¥3.8194
参考库存:4138
BAW101,215
Nexperia
分立半导体
二极管 - 通用，功率，开关 DIODE SW TAPE-7
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:13850
1N5347BG
ON Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 10V 5W
1:¥3.4578
10:¥2.6216
100:¥1.4238
1,000:¥1.06785
参考库存:7270
SMAZ22-13-F
Diodes Incorporated
分立半导体
稳压二极管 1W 22V
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
10,000:¥0.66896
参考库存:15101
P0102DA 1AA3
STMicroelectronics
分立半导体
SCR 0.8 Amp 400 Volt
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6159
1,000:¥1.243
参考库存:8039
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