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分立半导体
ZTX688B参考图片

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ZTX688B

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Super E-Line
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数量单价合计
1
¥7.7631
7.7631
10
¥6.6557
66.557
100
¥5.1076
510.76
500
¥4.52
2260
1,000
¥3.5708
3570.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
12 V
集电极—基极电压 VCBO
12 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.35 V
最大直流电集电极电流
3 A
增益带宽产品fT
150 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX688
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
3 A
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX688B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 150mW 15V Zener
1:¥3.2318
10:¥2.0679
100:¥0.92999
1,000:¥0.59212
4,000:¥0.44522
参考库存:37005
分立半导体
MOSFET N-Ch 700V 20.2A TO220-3
1:¥23.052
10:¥19.5942
100:¥16.9839
250:¥16.1364
500:¥14.4414
参考库存:1847
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥918.238
10:¥861.6024
25:¥852.5398
50:¥838.4826
参考库存:37010
分立半导体
整流器 Vr/200V Io/1A T/R
1:¥0.7684
25:¥0.29154
100:¥0.24634
250:¥0.1695
500:¥0.13786
5,000:¥0.13786
参考库存:19598
分立半导体
分立半导体模块 25A 120VAC MODULE SCR/DIODE
1:¥480.0918
10:¥457.5031
25:¥446.9828
50:¥436.4512
100:¥423.7726
参考库存:37015
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