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分立半导体

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APTGT50TDU60PG

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100
¥701.391
70139.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Triple Dual Common Source
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
Pd-功率耗散
176 W
封装 / 箱体
SP6-P
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 100 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT50TDU60PG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MBRH240100
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier - 100 V - 240 A - D-67 (HALF PAK)
1:¥405.4101
5:¥393.4999
10:¥381.5106
25:¥357.532
参考库存:5414
STW12NK95Z
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V - 0.69 10A Zener SuperMESH
1:¥39.7986
10:¥33.8096
100:¥29.3574
250:¥27.8206
参考库存:5966
JTXM19500/469-05
Microsemi
分立半导体
桥式整流器 Bridges
50:¥3,504.0622
参考库存:53155
RM21N700T1
Rectron
分立半导体
MOSFET TO-220F MOSFET
1,000:¥13.3679
2,000:¥11.4469
4,000:¥10.4525
参考库存:53158
T1635H-6I
STMicroelectronics
分立半导体
双向可控硅 Hi temp 16A 双向可控硅
1:¥19.5151
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥10.9836
参考库存:6374
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