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分立半导体
QPD2194SR参考图片

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QPD2194SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
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100
¥1,124.8585
112485.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
19.1 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
371 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI400-2
封装
Reel
配置
Single
工作频率
1.8 GHz to 2.2 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2194PCB4B01
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2194SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
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3,000:¥0.4068
9,000:¥0.34578
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45,000:¥0.30736
99,000:¥0.26894
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分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP LOW SAT TRAN 40V 1A SCHOTTKY CMBO
3,000:¥2.7685
参考库存:20524
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