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分立半导体

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APTGLQ100A65T1G

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:33,898(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥475.0972
475.0972
5
¥460.7349
2303.6745
10
¥447.2088
4472.088
25
¥419.2413
10481.0325
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
在25 C的连续集电极电流
135 A
栅极—射极漏泄电流
150 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
SP1-12
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
80 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ100A65T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 200MW 47K 47K
1:¥3.1527
10:¥2.0001
100:¥0.86106
1,000:¥0.66105
3,000:¥0.49946
参考库存:6469
分立半导体
稳压二极管 250mW 3.3V Zener
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
参考库存:8352
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V NPN
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:36468
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 200MW 120V
1:¥2.4634
10:¥1.6385
100:¥0.68365
1,000:¥0.46895
3,000:¥0.36838
参考库存:6347
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 3A 50V
1:¥4.4522
10:¥3.6499
100:¥2.2261
1,000:¥1.7176
3,000:¥1.469
参考库存:7310
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