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分立半导体
QPD2731SR参考图片

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QPD2731SR

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty
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数量单价合计
100
¥925.1536
92515.36
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN SiC
增益
16.3 dB
晶体管极性
N-Channel
输出功率
316 W
最大漏极/栅极电压
55 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI780-4
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
2.5 GHz to 2.7 GHz
商标
Qorvo
开发套件
QPD2731EVB1.0
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,QPD2731SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双向可控硅 Hi temp 10A 双向可控硅
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.0682
参考库存:5776
分立半导体
稳压二极管 1.0W 135V 20%
50,000:¥0.5537
参考库存:52590
分立半导体
稳压二极管
100:¥809.5885
参考库存:52593
分立半导体
MOSFET N-Ch 950V 3 Ohm 4A Zener SuperMESH3
1:¥21.131
10:¥17.8992
100:¥14.3736
500:¥12.5204
参考库存:5809
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
12,000:¥10.8367
参考库存:52598
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