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分立半导体
APTGLQ30H65T3G参考图片

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APTGLQ30H65T3G

  • Microsemi
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库存:32,555(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥337.3276
33732.76
250
¥330.2538
82563.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
技术
-
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Quad
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
300 nA
Pd-功率耗散
95 W
封装 / 箱体
SP3F
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGLQ30H65T3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 30V - 120A Schottky Rectifier
40:¥458.6557
80:¥443.3668
120:¥437.4456
参考库存:17068
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2A,60V, SMD SCHOTTKY RECTIFIER
15,000:¥0.69156
22,500:¥0.66105
参考库存:17071
分立半导体
稳压二极管 0,8W, 220V, ZENER
7,500:¥1.2091
参考库存:17074
分立半导体
整流器 600Vrrm 600Vr 420Vr 3.0A 100Ifsm
1,600:¥25.2781
参考库存:17077
分立半导体
整流器 2A, 600V, SUPER FAST SM SMA RECTIFIER
15,000:¥0.78422
参考库存:17080
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