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分立半导体
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SD3932

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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1246.729
5
¥1,216.7614
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10
¥1,186.4887
11864.887
25
¥1,169.889
29247.225
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
20 A
Vds-漏源极击穿电压
250 V
增益
26.8 dB
输出功率
350 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
M244
封装
Tube
配置
Dual
高度
5.84 mm
长度
34.16 mm
工作频率
250 MHz
系列
SD3932
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.91 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
Pd-功率耗散
500 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
90
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
3EZ27DE3/TR12
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14,000:¥0.91417
28,000:¥0.83733
参考库存:28207
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