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分立半导体
BSC030N04NSGXT参考图片

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BSC030N04NSGXT

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
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数量单价合计
5,000
¥3.0623
15311.5
10,000
¥2.9606
29606
25,000
¥2.8589
71472.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
2.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
61 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
83 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
46 S
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
23 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
BSC030N04NS BSC030N04NSGATMA1 G SP000354811
商品其它信息
优势价格,BSC030N04NSGXT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
肖特基二极管与整流器 2.0 Amp 50 Volt 40 Amp IFSM
1:¥3.7629
10:¥2.2261
100:¥1.2882
500:¥1.05316
1,000:¥0.80682
1,800:¥0.80682
参考库存:4256
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN
1:¥2.4634
10:¥1.695
100:¥0.69156
1,000:¥0.53788
3,000:¥0.3842
24,000:¥0.30736
参考库存:10630
分立半导体
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR SPCL TR
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
10,000:¥0.4068
20,000:查看
参考库存:11564
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky Rectifier
1:¥2.9154
10:¥2.0227
100:¥0.92999
1,000:¥0.71416
5,000:¥0.60681
参考库存:6666
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥2.0792
10:¥1.3899
100:¥0.58421
1,000:¥0.40002
2,000:¥0.31527
参考库存:10437
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